• 联系电话

    • 0755-82903550
    • 工作时间

    • 周一至周五 8:30-12:00; 13:30-17:30
    • 联系客服

新闻资讯

技术方案

新闻资讯

首页    新闻资讯    行业资讯    【兆易创新】超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世!

产品资源

按钮
按钮
按钮

【兆易创新】超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世!

 
 
 
 
 

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb,是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品,可在应对大容量代码存储需求的同时,提供极大限度的紧凑型设计自由。

 

 

 

近年来,随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展,市场需求变化多样,不仅要在精致小巧的产品形态中提供丰富的功能,还要具有极低功耗,以保障产品的长时间工作。而SPI NOR Flash作为这些设备中重要的代码存储单元,需提供更小、更薄、更轻的产品选择来满足这些不断变化的应用需求。

 

 

GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易创新旗舰型低功耗产品,此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH产品延续了LE系列的优异性能,其最高时钟频率133MHz,数据吞吐量高达532Mbit/s,极大提升了客户的系统访问速度和开机效率,同时在4通道133MHz时,读功耗仅为6mA,与行业同类产品相比,降低了45%的功耗,有效延长设备的续航时间。并且,更为重要的是GD25LE128EXH实现了128Mb容量产品上的超小尺寸,此前,业界128Mb容量产品的主流封装为6mm×5mm×0.8mm WSON8,而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封装,面积缩小达70%,厚度减薄50%,能够显著节省85%的空间体积,并节省材料成本。

 

除了尺寸优势显著提升之外,3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH与64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封装产品引脚兼容,无需调整PCB布局即可快速升级容量至128Mb,对于不同容量需求的方案,进一步简化了其兼容性要求的设计。

 

兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示:“作为业界领先的Fabless芯片供应商,兆易创新不仅是创新技术的提倡者,同时也是先进技术的践行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的128Mb SPI NOR Flash,完美匹配了业界对小型化和高集成度的要求,并且基于此封装技术落地的首款产品GD25LE128EXH所具备的低功耗特性也使其适用于任何以电池供电的产品设计中。未来随着智能设备的不断升级,兆易创新预见大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash产品将持续被业界需要。针对这一趋势,公司正在规划通过先进封装和存储技术开发其它容量、更小尺寸的存储产品,为客户提供更多样化的选择。”

 

GD25LE128EXH现已量产,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关信息。另外,同系列3mm×2mm×0.4mm FO-USON8封装产品GD25LE64E也即将在5月底提供样片,具体详情请联络销售代表。

 

 
 
 
 

 

本文来源:兆易创新

 

本文仅供交流学习,版权归属原作者,部分文章推送时未能及时与原作者取得联系,若来源标注错误或侵犯到您的权益烦请告知,我们将立即删除。

 

 

创建时间:2023-05-22