【美格纳】面向电动汽车市场发布采用先进场截止沟槽技术的新款 1200V 和 650V IGBT
– 美格纳开始全面量产面向电动汽车 PTC 加热器的 1200V 和 650V IGBT
韩国首尔，2023 年 9 月 11 日 – 美格纳半导体（以下简称“美格纳”）宣布，公司发布了新款 1200V 和 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，用于电动汽车 (EV) 的正温度系数 (PTC) 加热器。
新推出的 AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和 AMBQ40T65PHRTH (650V) 基于前沿“场截止沟槽”技术而打造，提供最低 10 微秒的耐受短路时间。由于具备这种强大的性能，即使发生过流的情况下，PTC 加热器也能得到良好保护，不会发生永久性故障。
此外，TO-247 封装采用厚和大的散热片，使这些新款 IGBT 具备出色的散热性能。因此，这些 IGBT 非常适合需要高功率和高效率的应用，例如 PTC 加热器的电源管理集成式电路的高边与低边。
“自去年的年初以来，美格纳发布了多款遵从严格的 AEC-Q101 标准的高性能汽车电源解决方案，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“现在，我们成功发布了面向电动汽车的首款 IGBT 产品，我们将继续扩大我们的产品阵容，满足电动汽车市场和我们尊贵客户的各种需求。”
关于美格纳半导体
美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、计算、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。
本文来源：美格纳
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