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【艾为】【新品发布】低阻抗小型化充电MOSFET

 

产品简介

 
 
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR是30V/40V耐压,封装形式DFN2×2-6L、DFN3*3的N-Channel Power MOSFET
 
AW4030XXNDNR包含五款产品:
  • AW403001NDNR
  • AW403002NDNR
  • AW403009NDNR
  • AW403029NDNR
  • AW403008NDNR
 
AW40400XNDNR包含两款产品:
  • AW404001NDNR
  • AW404002NDNR
 
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR作为开关,漏源耐压分别为30V和40V,栅源耐压高至±20VRDS(ON)提供不同档位供客户挑选,灵活匹配不同的应用场景,手机和笔记本电脑Charger、同步整流、电机驱动
 
 
 

产品规格主要参数

 
 
图1 AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR参数列表

 

 

封装信息

图2 DFN2*2封装外形图及管脚定义

 

典型应用图

 
以下列举了该系列MOSFET在快充充电器、手机充电、笔电充电场景中的典型方案应用图。

01

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR

快充充电器方案应用

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在快充充电器中主要在变压器次级输出端VBUS供电线路上起保护作用,应用原理如图3所示。

 

图3 AW4030XXNDNR & AW40400XDNR

手机充电方案应用电路图

 

 

02

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR

手机充电方案应用

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在手机充电应用原理示意图如图4所示:

(1)充电MOSFET在有线充电线路中起到单MOSOVP作用;

(2)为实现有线双向充放电和阻断反灌电流,应用时采用背靠背接法(两个单NMOS共源极串联)

多有线充电线路充电方案中,可利用多路串、并联MOSFET的方法来实现充电线路的选择。

 

 

图4 AW4030XXNDNR & AW40400XNDNR

手机充电方案应用电路图

 

 

03

AW4030XXNDNR笔电方案应用

AW4030XXNDNR在笔电中应用原理图如图5所示,MOSFET作为DC-DC中的核心部分,在升压和降压拓扑结构中均会用到。笔电由适配器和电池供电,适配器的典型输出电压19.5V,电池的输出电压为10.8V或14.4V,通常都需要被降压来为主板的各部分供电,因此在笔电中含有较多的BUCK电路。前级的Charger也可采用BUCK-BOOST架构实现双向充电,在笔电中功率MOSFET用量较大。AW4030XXNDNR单体在MHz频段开关特性良好,通常选择低RDS(ON)和低Qg的MOSFET提高开关电源效率

 

图5 AW4030XXNDNR笔电方案应用原理图

 

 

应用场景

 
 
AW4030XXNDNR和AW40400XDNR常以护电路、同步整流等目的,应用于手机、快充充电器、无线充电、笔记本电脑、电源适配器和电动工具等设备。
 

手机

快充充电器

 

笔记本电脑

电源适配器

 
 

主要特点

 
 
AW4030XXNDNR和AW40400XDNR具有小型化封装,节省占板面积,导通阻抗低,热耗散小的特点,在同种封装下,与市场同类产品类比参数优势明显。
 
表2:DFN2*2充电MOS主要参数对比表

 

 
 
表3:DFN3*3充电MOS主要参数对比表

 

 

本文来源:艾为

 

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创建时间:2024-07-10