【美格纳】发布首款采用超短通道 FET II 设计的第 8 代 MXT LV MOSFET

韩国首尔，2024 年 7月 30 日 –  Magnachip Mixed-Signal, Ltd.（以下简称“MMS”或“公司”）当日宣布，公司发布了面向智能手机电池保护电路的第 8 代 MXT LV MOSFET1。

美格纳首次在公司的新款 12V 双 N 通道 MOSFET (MDWC12D024PERH) 中引入其专属超短通道 FET II (SSCFET® II) 技术。SSCFET® II 是美格纳的最新设计技术，可显著缩短通道长度，从而降低RSS(on)2。

与相同尺寸的前代产品相比，此款产品的 RSS(on) 降低了约 22%。这降低功率损失，缩短智能手机充电时间，在快充模式下可使智能手机内部温度降低约 12%。

随着全球智能手机制造商在智能手机中提升 AI 功能，MOSFET 产品的重要性在不断增强。美格纳的新款 12V MXT LV MOSFET 具备较高的电源效率，经优化可适用于高端智能手机中的各种电池保护应用，尤其是设备端 AI 智能手机

根据市调机构 Omdia 的数据估测，从 2024 年到 2028 年，设备端 AI 智能手机的发货量有望平均每年增长 50%，到 2028 年将达到 6.06 亿台。

“去年早期在开发超短通道 FET I 技术并与成功推出相应产品后，美格纳现在发布了升级的超短通道 FET II 技术，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们计划继续开发创新性的高密度单元沟槽技术，并于今年下半年推出面向智能手机、智能手表和耳机的先进电源解决方案。”

1 MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

2 RSS(on):通态电阻; 即两个受保护的 MOSFET 在工作期间 (ON) 的源极之间电阻值。

关于美格纳半导体

美格纳是一家模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，其方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有约1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。