【美格纳】发布采用 TO-247PLUS 封装的 1200V IGBT，进一步扩展太阳能电源产品阵容

– 公司的各种 IGBT 和 MXT MV MOSFET1 产品为太阳能市场提供了优化的解决方案

韩国首尔，2024 年 7月 29 日 –  Magnachip Mixed-Signal, Ltd.（以下简称“MMS”或“公司”）当日宣布，公司完成了 1200V 75A 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）的开发，这款产品采用 TO-247PLUS 封装，设计用于太阳能逆变器。公司计划于今年十月开始进行量产。

美格纳在 2020 年进入太阳能逆变器市场时推出了 1200V 40A IGBT (MBQ40T120QFS)，并在 2022 年开始提供 650V 75A IGBT (MBQ75T65PEH)。现在，公司发布了最新的 1200V 75A IGBT (MBQA75T120RFS)，这款产品采用美格纳的先进设计技术和工艺。

这款新产品采用 TO-247PLUS 封装，配备一个宽型散热器，相比 TO-247 封装，提高了散热性能。此外，与该公司的前代产品相比，导通损耗降低超过 14%，提升了电源效率。这一性能的改善确保了产品即使在过载状态下也能稳定运行，从而提高系统稳定性。

此外，新款 IGBT 产品具备相当于两个 40A IGBT 的性能，可实现灵活的应用设计。另外一项重要特性是融入了快速恢复二极管并联量测技术，可快速消除多余电流，降低开关损耗，同时保证最高 175°C 的工作结温。此款产品根据电子设备工程联合委员会 (JEDEC) 发布的标准设计，适合需要严格额定功率和高效率的各种应用，包括太阳能逆变器、转换器、不间断电源系统和通用电源逆变器。

根据市调机构 Omdia 的数据，从 2024 年到 2028 年，可再生能源市场中的分立型 IGBT 和基于硅的 MOSFET 领域有望实现 15% 的年复合增长率。

“随着这款新产品的发布，美格纳的太阳能电源产品阵容进一步增强，现在可提供高性能的 IGBT 和 MXT MV MOSFET，能够满足太阳能市场中各种应用的技术要求 ”，美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续供应面向可再生能源应用的创新性电源解决方案，并充分利用行业中的发展机会。”

1 MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

2 RDS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。

关于美格纳半导体

美格纳是一家模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，其方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有约1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。